CVD-Grown MoS2 film

基本性質:

無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導體，屬於過渡金屬二硫族化合物，塊狀能帶間隙為1.23eV （間接帶隙），單層MoS2帶隙~1.85eV（直接帶隙）。

製造方法：

化學氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

產品簡介：

六碳科技的MoS2薄膜分為多種：

1） 單層離散分佈的三角狀單晶晶粒，三角邊長一般是幾十至一百微米。

2） 由三角晶粒繼續長大連在一起的單層連續薄膜。

3） 多層MoS2 連續薄膜。

4） 基底：MoS2可選基底較多，其中最常用的矽片基底、帶氧化層矽片基底和藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金屬基底等是通過在藍寶石上生長後轉移至客戶所需基底。

應用領域：

光電器件，微電子器件，生物傳感，化學傳感等領域。

包裝及規格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片，4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。

淨化抽真空包裝， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。

單層 MoS2 孤立晶粒

單層MoS2連續膜

AFM data of MoS2

Raman shift of MoS2

二氧化矽/矽基底二硫化鉬薄膜

石英基底二硫化鉬薄膜

藍寶石基底二硫化鉬薄膜